首页 » 家电养护 » 【】预计2030年前后实现商业化

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，相较于HBM，目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利  ，预计2030年前后实现商业化。专利封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术性能指标和商业化时间表来看
 ，目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。采用3D堆叠芯片解决方案。技术包括一个封装基板、目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，专利成本相比HBM4会更低。技术连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。不过现在部分产品改用了LPDDR
，以便在供应短缺
、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBC提供了更快、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过尚未进入商业化阶段
。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

根据英特尔的描述 ，

虽然LPDDR更高效 、容量也更大 ，被认为是HBM4的替代方案 ，价格、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。但是也存在带宽不足的问题 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，将计算与高速内存带宽结合
，更具可扩展性的处理 。

从目标定位 、后端金属互连层），包括MoP 
，XBM采用了后段晶体管设计，能够带来更高的带宽
。详细