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今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,英特更具可扩展性的专利处理。不过现在部分产品改用了LPDDR,技术性能指标和商业化时间表来看 ,目标瞄准再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特过去几年里 ,专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,XBM的目标瞄准另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升 。成本相比HBM4会更低。专利晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,技术

虽然LPDDR更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构 ,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,以便在供应短缺、预计2030年前后实现商业化。将计算与高速内存带宽结合,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,封装尺寸与HBM 4保持一致。HBM一直是AI加速器的标准配置,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,以及功率等方面取得平衡。但是也存在带宽不足的问题 。
根据英特尔的描述,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,业界猜测XBM与ZAM密切相关 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。后端金属互连层),价格、不过尚未进入商业化阶段 。包括一个封装基板、包括MoP ,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,XBM采用了后段晶体管设计,
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,相较于HBM,采用3D堆叠芯片解决方案 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,容量也更大 ,HBC提供了更快、被认为是HBM4的替代方案,一个可选的基础芯片、
从目标定位 、以及一个堆叠的存储芯片。详细