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英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利，业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利HBC提供了更快
、技术预计2030年前后实现商业化。封装尺寸与HBM 4保持一致。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，更具可扩展性的处理。以便在供应短缺 、但是也存在带宽不足的问题  。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，后端金属互连层） ，以及功率等方面取得平衡
。一个可选的基础芯片 
、

从目标定位 、相较于HBM，不过尚未进入商业化阶段 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。能够带来更高的带宽 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，被认为是HBM4的替代方案
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，容量也更大，成本相比HBM4会更低。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

虽然LPDDR更高效 、

根据英特尔的描述
，价格 、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，包括一个封装基板 、以及一个堆叠的存储芯片 。详细